内存交错的类型

内存交织是一种抽象技术，它将内存分为多个模块，以便将地址空间中的连续字放置在不同的模块中。

假设一个由4 MB芯片组成的64 MB内存，如下所示：

我们将内存分为4 MB的存储区，每个存储区包含4 MB芯片中的八个。因此，该存储器具有16个存储区，每个存储区为4 MB。

64 MB内存= 2 ^ 26，因此26位用于寻址。
16 = 2 ^ 4，所以地址的4位选择存储体，而4 MB = 2 ^ 22，所以每个芯片的地址为22位。

通常，N = L + M的N位地址分为两部分：

1. L位存储区选择，用于激活2 ^ L个存储区之一，以及
2. 发送到每个存储体的M位地址。

当其中一个存储体处于活动状态时，另一个(2 ^L – 1)处于非活动状态。所有存储体都接收到M位地址，但是无效的存储体不响应。

内存交错的分类：
内存交错分为两种类型：

1.高阶交织–
在高阶交织中，地址的最高有效位选择存储芯片。最低有效位作为地址发送到每个芯片。一个问题是连续的地址往往在同一芯片中。数据传输的最大速率受存储周期时间限制。

也称为存储库。

2.低阶交织–
在低阶交织中，最低有效位选择存储体(模块)。在这种情况下，连续的存储器地址位于不同的存储器模块中。这样可以以比循环时间所允许的快得多的速率访问内存。